Sustrato de alúmina al 96% - 99% para aislamiento

Modelo N º: RY-T069 Tipo: Aislamiento Material de la película: Cerámica Voltaje máximo: 20KV ~ 100KV Certificación: UL, ISO9001, SGS Marca: Ry Origen: China Aplicación: Aislantes, aislamiento de bobinado eléctrico, aislamiento de la capa de alambre de bobinado, base eléctrica, Shell , Motor, barniz aislante, placa de base del interruptor Química: placa térmica Clasificación del sustrato: 250 250 Clasificación: materiales de aislamiento híbridos Color: blanco Especificación: código HS personalizado: 854710000 Sustrato de cerámica \ n1. El substrato de alúmina (sustrato Al2O3) \ ​​nAl2O3 es el sustrato cerámico más popular, con excelente resistencia al calor, alta resistencia mecánica, resistencia a la abrasión y pequeño brillo dieléctrico. La superficie del sustrato de alúmina es bastante lisa y baja porosidad. es adecuado para dispositivos de película delgada, el sustrato de alúmina al 96% es adecuado para la aplicación de dispositivos de película gruesa. \ n \ n2. Nitruro de aluminio (sustrato AlN) \ nEl nitruro de aluminio tiene una conductividad térmica más alta, en comparación con el sustrato de alúmina. Es alrededor de 7 a 8 veces de alto. El sustrato AlN es un excelente material de paquete electrónico. \ N \ n3. Zirconia (sustrato ZrO2) \ nEn comparación con el sustrato de alúmina, el sustrato ZrO2 tiene mayor resistencia mecánica y resistencia a la fractura, es aproximadamente tres veces mayor para la resistencia a la flexión, dos veces más resistente a la fractura que el sustrato de alúmina. ZrO2 (zirconia) también proporciona una buena resistencia a la abrasión. Presenta una tasa de expansión térmica cercana a los metales. \ N

Ceramic Substrates Properties
Materials	Al2O3		AlN	ZrO2
	96%	99.60%
Color	White	White	Gray	White
Density (g/cm 3 )	3.72	3.85	3.3	6.04
Thermal conductivity (W/m. K)	22.3	29.5	160 -190	2.4
Thermal Expansion (x10 -6 / o C)	8	8.2	4.6	10
Dielectric strength	1.40E+07	1.80E+07	1.40E+07
Dielectric Constant (at 1MHZ)	9.5	9.8	8.7	29
Loss Tangent (x10 -4 at 1MHZ)	3	2	5	1.00E-03
Volume Resistivity (ohm-m)	>10 14	>10 14	>10 14
Flexural Strength (N/mm 2 )	350	500	450

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